・3次元フラッシュメモリの生産能力増強、2029年度中の稼働開始を目指す
キオクシアは8月27日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH（ビックスフラッシュ）」の生産能力増強に向け、北上工場（岩手県北上市）で第3製造棟となる「K3棟」の建設に向けた土地などの整備を開始したと発表した。K2棟の南側に建設し、2029年度中の稼働開始を目指す。
K3棟の建設は、生成AIの進展などを背景に拡大が見込まれるフラッシュメモリ市場への対応が狙い。特に、推論AIの普及によってエージェント型AI、フィジカルAI、オンデバイスAIなどの社会実装が進むことで、中長期的にフラッシュメモリ需要が拡大すると判断した。
同社はK3棟の建設を通じ、需要拡大が期待される最先端フラッシュメモリ製品の生産能力を高め、安定供給につなげる方針である。
一方、K3棟の具体的な建設時期や生産設備への投資額などについては、今後の市場動向を踏まえて決定する。なお、K3棟への投資は政府による支援を前提としている。
キオクシアは今後もフラッシュメモリ市場の需要動向を見極めながら、必要な設備投資をタイムリーに実施し、持続的な成長につなげていく。
■計画概要
・計画名称：北上工場 第3製造棟（K3棟）
・事業者：キオクシア
・所在地：岩手県北上市
・対象製品：3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」
・建設場所：北上工場 K2棟南側
・工事：土地などの整備を開始
・稼働開始：2029年度中を目標
・生産設備投資：市場動向を踏まえて決定
・政府支援：投資の前提として想定