㈱キオクシア（東京都港区）は3月23日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の生産能力の増強に備えて、北上工場（岩手県北上市）において、2022年4月から第2製造棟（K2棟）の建設を開始すると発表した。
フラッシュメモリ市場は今後もクラウドサービス、5G通信、IoT、AI、自動運転、メタバースなどの普及により、中長期的な拡大が見込まれる。キオクシアはK2棟の建設により、最先端フラッシュメモリ製品の生産拡大を通じて市場の需要拡大という好機を活かし、有機的な成長を目指す。K2棟の竣工は2023年を予定し、今回の建設投資は営業キャッシュフローの範囲内で行う計画。
K2棟は、第1製造棟（K1棟）の東側の土地に建設する。地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となる予定。また、人工知能（AI）を活用した生産システムの導入などを推進し、北上工場全体の生産性ならびにフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させる。なお、管理部門・技術部門が入居する管理棟も同じ敷地内に建設する。
また、K2棟にて共同投資を行うために米国ウエスタンデジタル社と協議を進めていく予定。
キオクシアは、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、キオクシアが1987年にNAND型フラッシュメモリを発明してから、35年にわたり積み重ねてきたメモリ・SSD事業の競争力を強化する取り組みを積極的に展開していく。今後も将来の市場動向を踏まえ需要拡大を的確に捉え、タイムリーな設備投資を行い、着実かつ持続可能な成長を目指す。