・半導体の高性能化に貢献
三井化学（東京都中央区）は5月28日、半導体の更なる微細化、生産性向上に不可欠な次世代の高NA※1、高出力EUV露光装置に対応したEUV露光用CNT（カーボンナノチューブ）ペリクルの生産設備を岩国大竹工場に設置することを決定したと発表した。
■三井ペリクル™とは
半導体ウェハーに光を照射して回路パターンを描くフォトリソグラフィ工程で、各露光波長に対して耐光性のある膜材料を選択し、高い透過率を得られるように膜厚設計したフォトマスク用防塵カバー。フォトマスクをクリーンに保ち、半導体の生産性向上に貢献する。EUVペリクル EUVペリクル
CNTペリクル CNTペリクルはペリクルを1984年に発売して以来、半導体の微細化に合わせたペリクルの改良と製品品質の向上に努めてきた。
■EUVペリクルとは
社会課題解決に欠かせないICT技術、とりわけ第５世代移動通信システム（5G）上のAI・IoT・ビッグデータの活用は今後ますます加速し、社会全体のデジタル化が進んでいる。これらのデータ処理を担う半導体には高速処理能力化、低消費電力化が求められ、回路線幅7nm以下の超微細化ニーズが高まっており、微細化回路形成用のEUV（波長13.5nmの極端紫外線）露光技術の採用が本格的に拡大している。
EUVペリクル EUVペリクル
CNTペリクル CNTペリクルはオランダASML社からEUV露光用ペリクル事業のライセンスを受け、2021年に世界に先駆けてEUVペリクルの商業生産を当社岩国大竹工場で開始し、拡大する先端半導体需要に対応している。
■CNTペリクルとは（次世代EUVペリクル）
採用が拡大しているEUV露光の次世代技術として、高NA（開口度0.55）、高出力（≧600W）化が求められている。これらの露光技術を実現するためには、過酷な露光環境に耐えられる新たな素材のペリクルが必要とされている。
EUVペリクル EUVペリクル
CNTペリクル CNTペリクルはこれらの露光技術革新に対応すべく、高いEUV透過性（≧92%）と1kWを超える露光出力への耐光性を兼ね備えたCNTペリクルの事業化に向けた量産用設備を設置することを決定した。
膜材にシリコン系素材を使用した既存のEUVペリクルに加えて、CNTを膜材に使用した次世代製品をラインナップすることで、半導体の高性能化と生産性向上に貢献していく。
＜新設計画の概要＞
対象製品：三井ペリクル™
所在地：三井化学 岩国大竹工場
生産能力：年間5,000枚
スケジュール：2025年12月 完工（予定）
※1 NA：開口数。Numerical Apertureの略。レンズの明るさ、分解能、焦点深度等のレンズの集光能力の指標となる。この値が大きいほどたくさんの光を集め、小さい点に光を絞ることができる。