・パワー半導体の新技術・新製品の開発を加速し、低炭素社会実現に貢献
近年、低炭素社会実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく制御するパワー半導体の需要が拡大・多様化している。
三菱電機はこれまで、産業用途や自動車用途などの省エネ性に優れた多くのパワー半導体を開発・製造してきた。今回、開発・製造拠点であるパワーデバイス製作所に新たに「開発試作棟」を建設し、敷地内に分散していた開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室、分析評価機能を1カ所に集結させることで、新技術・新製品の開発を加速する。また、新製品をより早くお客様へ提供することで、「持続可能性」と「安心・安全・快適性」が両立する豊かな社会の実現に貢献する。
＜開発試作棟の概要＞
所在地：福岡市西区今宿東一丁目1番1号（パワーデバイス製作所内）
建築面積：約1,640m2（延床面積 約10,350m2）
構造：鉄骨（S）造、地上6階建
主な設備：開発実験室、開発品試作ライン、性能試験室
環境・省エネ対策：
・高効率機器導入（空調機・換気設備・変圧器）
・人感センサ、照度センサ付きLED照明設置
・建物内装への木質材料使用
竣工予定：2022年8月
稼働開始予定：2022年9月
投資総額：約45億円